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报告题目：深亚微米工艺技术中锗基材料与器件的发展现状与趋势

报 告 人：C.L.Claeys(克雷)教授，（IEEE-EDS主席）

比利时天主教鲁汶大学

时    间：2008年10月24日，15：50— 16：35

地    点：主楼301室

主办单位：理学院；高功率半导体激光国防科技（国家）重点实验室；外事处；科技处。